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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
김호경 (서울과학기술대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제21권 제6호
발행연도
2020.1
수록면
621 - 629 (9page)

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AlN thin films were deposited with different thicknesses (5 and 20 nm) by atomic layer deposition and we explored the electron transport mechanisms in AlN/GaN Schottky junctions. Higher ideality factor and higher m values were observed in the current?voltage plots when the thickness of the AlN was 5 nm. The reverse bias leakage current for 5-nm-thick AlN was explained based on the Poole?Frenkel emission. Capacitance?voltage analysis revealed a higher interface state density for 5 nm thick AlN. These results might be associated with the defective interfacial layer present near the AlN/GaN interface. Because of the strain relaxation, the upper region of the AlN layer was degraded in the case of 20-nm-thick AlN, which may have strongly aff ected the interfacial properties of the Pt/AlN junction strongly.

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