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P. Ashok Kumar (KL University) K. Srinivasa Rao (K. L. University) B. Balaji (KL University) M. Aditya (KL University) N. P. Maity (Mizoram University) Reshmi Maity (Mizoram University) Santanu Maity (Indian Institute of Science Engineering and Technology) Ameen El Sinawi (American University of Iraq-Sulaimani) Koushik Guha (National Institute of Technology) K. Girija Sravani (K. L. University)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제22권 제6호
발행연도
2021.12
수록면
821 - 832 (12page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-021-00304-5

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RF MEMS switches have been employed in many commercial and defense applications due to their high potentiality at microwave and millimeter wave frequencies. In this paper, an RF MEMS shunt switch is designed with perforations and without perforations and simulated using iterative meanders for millimeter wave 5G applications. The proposed iterative meander offers a low spring-constant of 0.68 N/m and reduces the pull-in-voltage upto 1.8 V. The proposed perforated switch design is more reliable which operates with less transition time of 11.2 μs with a quality factor of 1.69. The switch possesses high capacitance ratio of 63. During ON condition, the switch shows low insertion loss of ? 0.24 dB at 41 GHz and high isolation of ? 46.7 dB at 38 GHz. The performance of the switch is analyzed by simulating it using COMSOL Multiphysics 5.2v (FEM tool). The obtained simulation results shows close approximation with the theoretical results and the switch is efficiently used for 5G millimeter wave applications.

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