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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
인경필 ((주)세라컴) 강승민 (한서대학교)
저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제34권 제2호
발행연도
2024.4
수록면
61 - 65 (5page)
DOI
10.6111/JKCGCT.2024.34.2.061

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HVPE(Hydride vapor phase epitaxy) 공법은 기체상의 원료를 사용하여 박막 또는 단결정을 제조하는 공법이다. 화학적 기상증착법의 원리를 적용하여 난용융성 또는 고융점의 물질의 단결정을 성장할 수 있는 공법으로서, 질화갈륨(GaN) 단결정을 얻을 수 있는 공법 중 하나이다 . 최근 동 공법을 이용하여 질화알루미늄 (AlN) 단결정을 성장하고자 하는 연구가 많이 수행되어져 왔으나, 아직은 좋은 결과를 얻지 못하고 있다 . 본 연구에서는 AlN 단결정을 HVPE 공법으로 성장하고자 하였다. 성장 공정에서 질소를 운송가스 (Carrior gas)로 사용하였으며, 질소 (N₂)의 양의 변화에 따른 성장 결과를 고찰하여 보았다. 질소의 양이 증가함에 따른 성장 결정의 변화 양상을 확인할 수 있었다 . 성장된 AlN 단결정의 형상을 광학 현미경을 사용하여 관찰하였고, 이중결정 X선 회절 분석 (DCXRD, Double crystal X-ray diffractometry)을 이용하여, AlN 결정의 생성을 확인함과 동시에 성장된 단결정의 결정성도 알아보았다.
#HVPE #AlN #Single crystal #Growth #Behavior

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