지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 6H-SiC (0001) 기판 위에 AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. 시간당 5 nm의 성장률로 0.5 m 두께의 AlN 에피층을 얻었다. FE-SEM과 EDS 결과를 통해 6H-SiC (0001) 기판 위에 성장된 AlN 에피층 표면을 조사하였다. HR-XRD와 계산식을 통해 전위 밀도를 예측하였다. 1.4 × 109cm2의 나사 전위밀도와 3.8 × 109cm2의 칼날 전위 밀도를 가지는 우수한 결정질의 AlN 에피층을 확인하였다. 혼합소스 HVP E 방법에 의해성장된 6H-SiC 기판 위의 AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (25)
참고문헌 신청
B. K. Meyer / 1999 / Photoluminescence investigations of AlGaN on GaN epitaxial films / Phys. Status Solidi B 216:187
F. Yun / 2002 / Energy band bowing parameter in AlxGa1xN alloys / J. Appl. Phys 92:4837
Y. F. Wu / 1996 / Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors / Appl. Phys. Lett 69:1438
N. H. Train / 2017 / On the mechanism of highly efficient p-type conduction of Mgdoped ultra-wide-bandgap AlN nanostructures / Appl. Phys. Lett 110:032102
V. Adivarahan / 2002 / Sub-milliwatt power III-N light emitting diodes at 285 nm / Jpn. J. Appl. Phys 41:L435
F. Yun / 2002 / Energy band bowing parameter in AlxGa1xN alloys / J. Appl. Phys 92:4837
Y. F. Wu / 1996 / Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors / Appl. Phys. Lett 69:1438
N. H. Train / 2017 / On the mechanism of highly efficient p-type conduction of Mgdoped ultra-wide-bandgap AlN nanostructures / Appl. Phys. Lett 110:032102
V. Adivarahan / 2002 / Sub-milliwatt power III-N light emitting diodes at 285 nm / Jpn. J. Appl. Phys 41:L435
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
혼합소스 HVPE 방법에 의한 전력 반도체 소자용 p형 AlN 에피층 성장
한국결정성장학회지
2019 .01
-
고효율 파워 반도체 소자를 위한 Mg-doped AlN 에피층의 HVPE 성장
한국결정성장학회지
2017 .01
-
SiC 기판상에 성장된 AlN 박막을 이용한 AlN 결정 성장에 관한 연구
한국결정성장학회지
2018 .01
-
나노구조를 응용한 AlN 성장 방법 및 특성
전기전자재료학회논문지
2015 .01
-
6H-SiC 종자 결정을 사용하여 PVT법으로 성장된 AlN 결정 연구
한국결정성장학회지
2016 .01
-
패턴화된 사파이어 기판 위에 증착된 AlN 버퍼층 박막의 에피층 구조의 광학적 특성에 대한 영향
한국결정성장학회지
2020 .01
-
Full-SiC 기반의 AlN 기판상에 집적된 1200V/50A급 하프브리지 모듈
대한전기학회 학술대회 논문집
2018 .07
-
2H-Silicon Carbide Epitaxial Growth on c-Plane Sapphire Substrate Using an AlN Buffer Layer and Effects of Surface Pre-Treatments
Electronic Materials Letters
2015 .01
-
Atomic Layer Deposition of AlN Thin Films on GaN and Electrical Properties in AlN/GaN Heterojunction Diodes
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2020 .01
-
Hydride vapor phase epitaxy에 의한 후막 AlN 단결정의 성장 거동에 관한 연구
한국결정성장학회지
2024 .08
-
Ni/AlN/4H-SiC 구조로 제작된 소자의 후열처리 효과
전기전자학회논문지
2020 .06
-
Effect of Atomic Layer Deposited AlN Layer on Pt/4H-SiC Schottky Diodes
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2018 .08
-
HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 법을 적용한 온도 변화에 따른 AlN 단결정의 성장 형상에 관한 연구
한국결정성장학회지
2024 .02
-
투과전자현미경과 전자후방산란회절을 이용한 AlN의 미세구조 분석
한국결정성장학회지
2015 .01
-
펄스레이저법으로 증착 제조된 AlN박막의 타겟 효과
소성·가공
2020 .02
-
Y2O3가 1 wt% 첨가된 AlN 세라믹의 전기절연성에 미치는 TiO2 첨가의 효과
전기전자재료학회논문지
2016 .01
-
가스용탕반응법에 의한 Al-ALN 복합재 제조시 교반기 내의 유동장 해석
한국생산제조학회지
2020 .02
-
HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy) 법을 적용한 N₂ 양의 변화에 따른 AlN 단결정의성장 거동에 관한 연구
한국결정성장학회지
2024 .04
-
HVPE 방법에 의해 성장된 graded AlGaN 에피층의 특성
한국결정성장학회지
2015 .01
-
Dependence of Sputtering Gas Pressure on the Crystal Structure of AlN Films
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2021 .11
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0