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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제42권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
19 - 24 (6page)

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본 논문에서는 압저항 효과를 이용한 Si 압력센서 제작을 최적화 하였다. Si 압저항형 압력센서의 제작공정에 있어서 압저항과 알루미늄 회로 패턴 이후에 Si 이방성 식각을 통하여 수율이 개선되었다 압저항의 위치와 공정 파라메터는 각각 ANSYS 와 SUPREME 시뮬레이터를 이용하여 견정하였다. Boron-depth 프로파일 측정으로부터 p-형 Si 압저항의 두께를 측정한 결과 SUPREME 시뮬레이션으로부터 얻은 결과와 잘 부합하였다. 다이아프램을 위한 Sl 이방성 식각 공정은 암모늄 첩 가제 AP(Ammonium persulfate)를 TMAH(Tetra- methyl ammonium hydroxide) 용액에 첨가함으로써 최적화 되었다.

목차

요약

Abstract

Ⅰ. 서론

Ⅱ. 본론

Ⅲ. 실험

Ⅳ. 결과

Ⅴ. 결론

참고문헌

저자소개

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