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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.6
- 수록면
- 3,125 - 3,130 (6page)
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Semiconductor production based on 300 ㎜ diameter silicon wafer is becoming the mainstream recently worldwide. We pay attention to final polishing process for bare silicon wafers because it is very important to provide ultra-flatness and uniform surface roughness for successfully integrating nano-scale features in ULSI devices. We deal with research and development of a machine having mechanism of rotating heads and rotating tables offering same relative velocity between wafers and tables.
In this paper, a fundamental analysis for relative velocity of polishing pad and wafer was performed. The analytical model of polishing with a rotating table and a wafer was driven using kinematic analysis based on velocity vectors. The develop model were compared with rotor and belt polishing mechanism and discussed it's effects in surface formation results. This model is expected to use for predicting and controlling surface forms during final polishing process.
In this paper, a fundamental analysis for relative velocity of polishing pad and wafer was performed. The analytical model of polishing with a rotating table and a wafer was driven using kinematic analysis based on velocity vectors. The develop model were compared with rotor and belt polishing mechanism and discussed it's effects in surface formation results. This model is expected to use for predicting and controlling surface forms during final polishing process.
목차
Abstract
1. 서론
2. 회전을 이용한 연마장치 개요
3. 가공 상대 속도의 수학적 해석
4. 결론
후기
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