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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제41권 제5호
발행연도
2008.10
수록면
189 - 193 (5page)

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In this study, we carried out an investigation of the etching characteristics (etch rate, selectivity to SiO₂ and HfO₂) of TiN thin films in the CH₄/Ar inductively coupled plasma. The maximum etch rate of 274 A/min for TiN thin films was obtained at CH₄(80%)/Ar(20%) gas mixing ratio. At the same time, the etch rate was measured as function of the etching parameters such as RF power, Bias power, and process pressure. The X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed an efficient destruction of the oxide bonds by the ion bombardment as well as showed an accumulation of low volatile reaction products on the etched surface. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch mechanism for the CH₄ containing plasmas.

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
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