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논문 기본 정보

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저널정보
한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제41권 제5호
발행연도
2008.10
수록면
189 - 193 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2013

BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구
우종창 ,  최창억 ,  양우석 외 4명 전기전자재료학회논문지 2013.01 학술저널

2010

Cl2/BCl3/Ar 플라즈마에서 반응성 이온들에 의해 식각된 ZnO 박막 표면 연구
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2009

Cl₂/BCl₃/Ar 플라즈마에 의해 식각된 ZnO 박막 표면의 연구
우종창 ,  하태경 ,  위재형 외 4명 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2009.05 학술대회자료

2008

CH₄ 플라즈마에 따른 TiN 박막 표면의 식각특성 연구
우종창 ,  엄두승 ,  김관하 외 2명 한국표면공학회지 2008.10 학술저널

초록· 키워드

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In this study, we carried out an investigation of the etching characteristics (etch rate, selectivity to SiO₂ and HfO₂) of TiN thin films in the CH₄/Ar inductively coupled plasma. The maximum etch rate of 274 A/min for TiN thin films was obtained at CH₄(80%)/Ar(20%) gas mixing ratio. At the same time, the etch rate was measured as function of the etching parameters such as RF power, Bias power, and process pressure. The X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed an efficient destruction of the oxide bonds by the ion bombardment as well as showed an accumulation of low volatile reaction products on the etched surface. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch mechanism for the CH₄ containing plasmas.
#Etch #TiN #Inductively Coupled Plasma #surface

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌

참고문헌 (9)

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1. [학술지(정기간행물)] - A. Le Gouil / 2007 / / J. Vac. Sci. Tech. B 25 (3) : 767 ~ 778 google schola 2. [학술지(정기간행물)] - G. H. Kim / 2007 / / Ferroelectrics 357 (1) : 41 ~ 47 google schola 3. [학술지(정기간행물)] - W. T. Chang / 2007 / / J. Vac. Sci. Technol. B 25 : 1265 ~ 1269 google schola 4. [단행본] - S. M. Sze / 1983 / VLSI Technology / McGraw-Hill Book Company : 106 ~ google schola 5. [학술지(정기간행물)] - R. H. Dennard / 1974 / / IEEE J. Solid State Circuits SC-9 : 256 ~ google schola

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