지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 747 - 751 (5page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
In the study, the characteristics of the etched Zinc oxide (ZnO) thin films surface, the etch rate of ZnO thin film in Cl2/BCl3/Ar plasma was investigated. The maximum ZnO etch rate of 53 nm/min was obtained for Cl2/BCl3/Ar=3:16:4 sccm gas mixture. According to the x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM), the etched ZnO thin film was investigated to the chemical reaction of the ZnO surface in Cl2/BCl3/Ar plasma. The field emission auger electron spectroscopy (FE-AES) analysis showed an elemental analysis from the etched surfaces. According to the etching time, the ZnO thin film of etched was obtained to The AES depth-profile analysis. We used to atomic force microscopy to determine the roughness of the surface. So, the root mean square of ZnO thin film was 17.02 in Cl2/BCl3/Ar plasma. Based on these data, the ion-assisted chemical reaction was proposed as the main etch mechanism for the plasmas.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (11)
참고문헌 신청
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
The Dry Etching Properties of ZnO Thin Film in Cl2/BCl3/Ar Plasma
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2010 .01
-
BCl₃/Ar 유도 결합 플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성
전기학회논문지
2007 .03
-
Damage on the Surface of Zinc Oxide Thin Films Etched in Cl-based Gas Chemistry
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2011 .01
-
Dry Etching Characteristics of ZnO Thin Films for the Optoelectronic Device by Using Inductively Coupled Plasma
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2012 .01
-
Dry Etching of ITO Thin Films by the Addition of Gases in Cl2/BCl3 Inductivity Coupled Plasma
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2012 .01
-
BCl₃/Ar 플라즈마에 Cl₂ 가스 첨가에 따른 TiN 박막의 식각 특성
전기전자재료학회논문지
2008 .01
-
Cl2/Ar 플라즈마를 이용한 Al2O3 박막의 식각
전기전자재료학회논문지
2009 .01
-
ZnO 박막의 청색 $Cl_2/Ar$플라즈마 식각
한국재료학회 학술발표대회
2001 .01
-
Chemical Reaction on the Surface of as Doped ZnO Thin Films in Dry Etching Process
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2008 .06
-
Cl₂/BCl₃/Ar 플라즈마에 의해 식각된 ZnO 박막 표면의 연구
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009 .05
-
SF_6/Ar 유도결합플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성에 관한 연구
전기전자재료학회논문지
2011 .01
-
Inductively coupled plasma reactive ion etching of ZnO using $C_2F_6$ and $BCl_3-based$ gas Plasmas
한국재료학회 학술발표대회
2006 .01
-
N₂ 가스를 첨가한 Cl₂/Ar 플라즈마에 의해 식각된 ZnO 박막의 식각 특성
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2009 .10
-
Dry Etching of Al2O3 Thin Films in O2/BCl3/Ar Inductively Coupled Plasma
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2010 .01
-
기판 온도에 따른 Cl₂/BCl₃/Ar 플라즈마에서 ZrO₂ 박막의 건식 식각
한국표면공학회지
2009 .12
-
ZnO와 Al-doped ZnO 박막의 표면 형상과 전기․광학적 특성에 미치는 Wet Etching 시간의 영향
전기전자재료학회논문지
2013 .01
-
Etching characteristics of BST thin films using BCl₃/Cl₂/Ar plasma
대한전기학회 학술대회 논문집
2003 .10
-
유도결합플라즈마를 이용한 O2/BCl3/Ar가스에 따른 Indium Tin Oxide 박막의 식각 특성 연구
전기전자재료학회논문지
2010 .01
-
Dry Etching Characteristics of Zinc Oxide Thin Films in Cl_2-Based Plasma
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2011 .01
-
Metal 게이트 전극을 위한 TiN 박막의 건식 식각 특성
한국표면공학회지
2009 .08
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0