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The wafer surface temperature is an important parameter in the etching process which influences the reaction probabilities of incident species, the vapor pressure of etch products, and the re-deposition of reaction products on feature surfaces. In this study, we investigated all of the effects of substrate temperature on the etch rate of ZrO₂ thin film and selectivity of ZrO₂ thin film over SiO₂ thin film in inductively coupled plasma as functions of Cl₂ addition in BCl₃/Ar plasma, RF power and dc-bias voltage based on the substrate temperature in range of 10℃ to 80℃. The elements on the surface were analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
목차
Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (9)
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1. [학술지(정기간행물)] - M. Houssa / 2006 / / Mat. Sci. Eng. R. 51 : 37 ~
2. [학술지(정기간행물)] - M. Kim / 2008 / / Microelectron. Eng. 85 : 348 ~
3. [학술지(정기간행물)] - D. P. Kim / 2004 / / Thin Solid Films 459 : 122 ~
4. [단행본] - J. R. Rooth / 1995 / Industrial Plasma Engineering / IOP Publishing Ltd.
5. [학술지(정기간행물)] - Y. H. Park / 2009 / N2 effect on GaAs Etching at 150 mTorr Capacitively-coupled Cl2/N2 Plasma / Microelectronic Engineering
2. [학술지(정기간행물)] - M. Kim / 2008 / / Microelectron. Eng. 85 : 348 ~
3. [학술지(정기간행물)] - D. P. Kim / 2004 / / Thin Solid Films 459 : 122 ~
4. [단행본] - J. R. Rooth / 1995 / Industrial Plasma Engineering / IOP Publishing Ltd.
5. [학술지(정기간행물)] - Y. H. Park / 2009 / N2 effect on GaAs Etching at 150 mTorr Capacitively-coupled Cl2/N2 Plasma / Microelectronic Engineering
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