Laser CVD SiN막의 전기적 특성

김용우 ,  김상욱 ,  박종욱 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1990 .11

Effects of Source Gas for Preparation of Carbon Nitride Using Microwave Plasma CVD

Masatoshi Inoue ,  Yukihi ,  o Sakamoto 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

FE Properties of Carbon Nitride Prepared by Microwave Plasma CVD

Shunichi ,  o Komizo ,  Yukihi 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

실리콘窒化膜의 氣相成長과 그 電氣的 特性

成英權 ,  閔南基 ,  金承培

전기의세계

1979 .09

DEPOSITION OF A-SIC : H FILMS ON AN UNHEATED SI SUBSTRATE BY LOW FREQUENCY (50㎐) PLASMA Cvd

M. Shimozuma ,  K. Iba ,  agi 외 5명

한국표면공학회지

1996 .12

SiH₄ 가스의 에너지 분포함수 관한 연구

성낙진 ,  김상남

대한전기학회 학술대회 논문집

2000 .07

SiH₄-N₂ 혼합가스에서 成長된 PECVD a-SiN_x : J薄膜의 成長條件과 特性의 相關性

成英權 ,  宋鎭洙 ,  崔福吉 외 1명

전기학회논문지

1986 .05

플라즈마 실리콘 질화막의 전기적 특성에 관한 연구

주현성 ,  주승기

한국표면공학회지

1989 .12

The Corrosion and Electrical Properties of AISI 316L by Plasma Nitriding for PEMFC

Won Hyuk Hong ,  Dong Hoon Han ,  Jung Joong Lee

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2008 .06

SiH4 / WF6 변화에 따른 플라즈마 화학증착 텅스텐의 플라즈마 분광분석 ( II ) ( Plasma Emission Spectroscopy of Plasma Enhanced CVD-W Deposition with the Variations of SiH4 / WF6 Ratio )

김용태 ,  민석기 ,  홍종성 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

N₂/NH₃SiH₄ 유도 결합형 플라즈마의 압력과 혼합가스 비율에 따른 이온 및 중성기체 밀도 분포

서권상 ,  김동현 ,  이호준

전기학회논문지

2017 .02

SiH₄-Ar혼합기체의 전자분포함수 해석

金相南

전기학회논문지 P

2004 .06

SiH₄를 이용한 텅스텐의 화학증착시 압력증가가 증착에 미치는 영향

박재현 ,  이정중 ,  금동화

한국표면공학회지

1993 .02

LOW TEMPERATURE DEPOSITION OFSIO_x FILMS BY PLASMA-ENHANCED CVD USING 100 ㎑ GENERATOR

Nobuyuki Kakinoki ,  Takenobu Suzuki ,  Osamu Takai

한국표면공학회지

1996 .12

Synthesis of Carbon Nitride Films by Dual Microwave Plasma Source CVD

Osamu Ikai ,  Takayoshi Kiguchi ,  Ma 외 4명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2013 .11

Laser Cvd Silicon Nitride막의 수명시간 예측에 관한 Simulation ( Simulation of Life Time Laser Cvd Sin Films )

김천섭 ,  김용우 ,  권봉재 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Laser CVD silicon nitride막의 수명시간 예측에 관한 Simulation

김천섭 ,  김용우 ,  권봉재 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .11

Laser CVD silicon nitride막의 wear out

김천섭 ,  권봉재 ,  김용우 외 2명

대한전기학회 학술대회 논문집

1990 .11

Effect of Diluent Gas and Rapid Thermal Annealing on the Properties of Plasma Deposited Silicon Nitride Film

C. W. Nam ,  S. I. Woo ,  Y. T. Kim 외 1명

ICVC : International Conference on VLSI and CAD

1991 .01