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저자정보
노임준 (인하대학교) 김성현 (전자부품연구원) 박동화 (인하대학교) 신백균 (인하대학교)
저널정보
대한전기학회 전기학회논문지 전기학회논문지 제58권 제10호
발행연도
2009.10
수록면
1,976 - 1,981 (6page)

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Transparent conducting aluminum-doped zinc oxide (AZO) thin films were deposited on Corning glass substrate using an Gun-type rf magnetron sputtering deposition technology. The AZO thin films were fabricated with an AZO ceramic target (Zn: 98wt.%, Al₂O₃: 2wt.%). The AZO thin films were deposited with various growth conditions such as the substrate temperature, oxygen pressure. X-ray diffraction (XRD), UV/visible spectroscope, atomic force microscope (AFM), and Hall effect measurement system were done in order to investigate the properties of the AZO thin films Among the AZO thin films prepared in this study, the one formed at conditions of the substrate temperature 100℃, Ar 50 sccm, O₂ 5 sccm and working pressure 5 mtorr showed the best properties of an electrical resistivity of 1.763×10<SUP>-4</SUP> [Ωㆍ㎝], a carrier concentration of 1.801×10<SUP>21</SUP> [㎝<SUP>-3</SUP>], and a carrier mobility of 19.66 [㎠/VㆍS], which indicates that it could be used as a transparent electrode for thin film transistor and flat panel display applications.
#ZnO #Sputtering #TCO #TFT #FPD

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 고찰
4. 결론
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