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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
강정윤 (Yeungnam University) 전찬욱 (Yeungnam University)
저널정보
한국신재생에너지학회 신·재생에너지 신재생에너지 제12권 제1호
발행연도
2016.3
수록면
31 - 36 (6page)
DOI
10.7849/ksnre.2016.03.12.1.31

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Generally, the SnS absorber fabricated by a 2-step process of annealing sputtered a metal precursor by a rapid thermal process (RTP) requires a long sulfurization time due to the low sulfurization temperature of 200℃. In this study, sulfurization was performed at a high temperature of more than 400℃ to reduce the reaction time. The properties of the SnS films according to the sulfurization time and the temperature of S-soaking were investigated. The sputtered Sn precursors had a thickness of 400 ㎚ on a 300 ㎚ thick Mo back contact. The sulfurization process was carried out under the sulfur-rich conditions using sulfur powders and the multiple temperature profiles, which consisted of a S-soaking process and high temperature sulfurization. The experimental variables were the substrate temperature of S-soaking (280, 320℃) and the time of sulfurization (10, 20, 30 min). The S-soaking process allowed sulfur vapor to mix sufficiently with the Sn precursor layer. The sublimation phenomenon of sulfur from SnS₂ and thereby the formation of Sn₂S₃ and SnS phases were observed systematically according to the S-soaking temperature, while the preferred orientation and the crystallinity of SnS phase varied with the sulfurization time.

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 실험
3. 분석 및 측정
4. 결론
References

참고문헌 (12)

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