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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
황팅지엔 (청주대학교) 김제하 (청주대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제30권 제11호
발행연도
2017.11
수록면
734 - 739 (6page)
DOI
https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.11.734

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본 연구에서 전자선 증착으로 제작한 Sn 전구체를 이용하여 황화 급속열처리(RTP) 2-단계 반응에 의하여 SnSx 화합물 반도체 박막을 소다라임유리(SLG)와 Mo/SLG 기판위에 제작하였으며, SnSx 박막은 열처리 온도, Ts = 200℃, 230℃, 250℃, 300℃와 각 온도에서 열처리 시간, ts = 10 min. 과 30 min.의 변화에 따라 성장하였다. 단일 결정상 SnS 는 200℃ ≤ Ts < 250℃에서 성장이 두드러졌으며, Ts ≥ 250℃ 에서는 SnS2 결정상이 현저히 증가하는 것이 관측되었다. 모든 시료에서 SnS 결정은 [040] 결정방향을 따라 강한 성장을 보였다. 이 시료들의 밴드갭 에너지, Eg 는 1.24 eV 였다.

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