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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2017.11
- 수록면
- 734 - 739 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2017.30.11.734
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본 연구에서 전자선 증착으로 제작한 Sn 전구체를 이용하여 황화 급속열처리(RTP) 2-단계 반응에 의하여 SnSx 화합물 반도체 박막을 소다라임유리(SLG)와 Mo/SLG 기판위에 제작하였으며, SnSx 박막은 열처리 온도, Ts = 200℃, 230℃, 250℃, 300℃와 각 온도에서 열처리 시간, ts = 10 min. 과 30 min.의 변화에 따라 성장하였다. 단일 결정상 SnS 는 200℃ ≤ Ts < 250℃에서 성장이 두드러졌으며, Ts ≥ 250℃ 에서는 SnS2 결정상이 현저히 증가하는 것이 관측되었다. 모든 시료에서 SnS 결정은 [040] 결정방향을 따라 강한 성장을 보였다. 이 시료들의 밴드갭 에너지, Eg 는 1.24 eV 였다.
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National Renewable Energy Laboratory / Best Research-cell Efficiencies
Naoya Sato / 2005 / Characterization of electrical properties and photosensitivity of SnS thin films prepared by the electrochemical deposition method / Solar Energy Materials and Solar Cells 85(2):153~165
M. Devika / 2006 / Semicond. Sci. Technol. 21:1495
Vera Steinmann / 2014 / 3.88% Efficient Tin Sulfide Solar Cells using Congruent Thermal Evaporation / Advanced Materials 26(44):7488~7492
Yu Kawano / 2015 / Impact of growth temperature on the properties of SnS film prepared by thermal evaporation and its photovoltaic performance / Current Applied Physics 15(8):897~901
Naoya Sato / 2005 / Characterization of electrical properties and photosensitivity of SnS thin films prepared by the electrochemical deposition method / Solar Energy Materials and Solar Cells 85(2):153~165
M. Devika / 2006 / Semicond. Sci. Technol. 21:1495
Vera Steinmann / 2014 / 3.88% Efficient Tin Sulfide Solar Cells using Congruent Thermal Evaporation / Advanced Materials 26(44):7488~7492
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