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학술저널
저자정보
Zhe Liu (Shanghai Jiao Tong University) Guifu Ding (Shanghai Jiao Tong University) Jiangbo Luo (Shanghai Jiao Tong University) Wen Lu (Shanghai Jiao Tong University) Xiaolin Zhao (Shanghai Jiao Tong University) Ping Cheng (Shanghai Jiao Tong University) Yanlei Wang (Shanghai Jiao Tong University)
저널정보
대한금속·재료학회 Electronic Materials Letters Electronic Materials Letters Vol.12 No.5
발행연도
2016.1
수록면
679 - 684 (6page)

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The AlN/polyimide (PI) hybrid film was studied as thedielectric layer in the redistribution layer (RDL) in this work. The incorporation of the AlN into the PI matrix was achievedby mechanical ball-milling process. The spin-coating processwas used to fabricate the AlN/PI hybrid film, which iscompatible with micro-electro-mechanical system (MEMS)technology for fabricating RDL. The AlN/PI hybrid film wascharacterized by Fourier transform infrared (FTIR) spectrumand thermogravimetric analysis (TGA). The effect of the AlNcontent on the thermal stability, thermal expansion coefficient,hardness and water adsorption of the AlN/PI hybrid film wasstudied. The results indicated that the addition of AlN nanoparticlesimproved the thermal stability and hardness, butdecreased the thermal expansion coefficient and waterabsorption of the pure PI film. As an example of its typicalapplication, the AlN/PI hybrid film with 8 wt.% AlN waspatterned using micromachining technology and used as thedielectric layer in RDL successfully.

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E. Beyne / 2008 / Proc. Electronics Packaging Technology Conference :29 google schola J. Q. Lu / 2009 / Proceedings of the IEEE 97:18 google schola N. Kim / 2011 / Proc. Electronic Components and Technology Conference :1160 google schola L. Cadix / 2010 / Proc. 2010 IEEE International Interconnect Technology Conference :1 google schola X. Sun / 2012 / Proc. Electronic System-Integration Technology Conference :1 google schola

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