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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제4호
- 발행연도
- 2018.8
- 수록면
- 235 - 240 (6page)
- DOI
- https://doi.org/10.1007/s42341-018-0058-0
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Thin AlN layer was deposited on n-type 4H-SiC using atomic layer deposition and the electrical properties of Pt/SiC Schottkydiodes with and without AlN layer were comparatively investigated. Based on the capacitance?voltage ( C ? V ) and conductance?voltage ( G / ω ? V ) characteristics, the interface state density decreased but the oxide trap density increased with an AlNlayer. The border traps present near the AlN/SiC interface might produce such diff erence. Compared to the sample withoutAlN, both the barrier height and the ideality factor increased with an AlN. Analyses on the reverse leakage current densityfor Pt/AlN/SiC junction showed that the dominant transport mechanisms are ohmic conduction, trap assisted tunneling(TAT) and Fowler?Nordheim emissions at low, intermediate, and high electric fi eld regions, respectively. Both the nitrogenvacancies and dangling bonds in Al in AlN layer were suggested to contribute to the TAT conduction.
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