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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2015.1
- 수록면
- 433 - 438 (6page)
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N+ 실리콘웨이퍼를 게이트전극으로 사용하여 zinc tin oxide 투명박막트랜지스터 (ZTO TTFTs)를 제조하였다. 인듐 (In), 알루미늄 (Al), indiun tin oxide (ITO), 은 (Ag) 및 금 (Au)을 ZTO TTFT의 소스 및 드레인 전극으로 사용하였으며, 전극에 따른 ZTO TTFT의 문턱전압 및 이동도를 조사하였다. In을 전극으로 사용한 ZTO TTFT의 경우 가장 높은 이동도와 가장 낮은 문턱전압을 나타내었다. Ag 및 Au는 ZTO TTFT의 전극으로는 부적합한 것으로 나타났다. 본 실험의 결과로 볼 때, 전극의 전도도보다 전극/소스의 계면 특성이 ZTO TTFT의 특성에 더 큰 영향을 미치는 것으로 사료된다.
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/ / http://www.lenntech.com/periodic-chart-elements/ionization-energy.htm
A. Marsal / 2014 / Compositional influence on the electrical performance of zinc indium tin oxide transparent thin-film transistors / Thin Solid Films 555 : 107 ~ 111
B. G. Streetman / 1995 / Solid State Electronic Devices / Prentice-Hall International, Inc. : 312 ~
B. G. Streetman / 1995 / Solid State Electronic Devices / Prentice-Hall international, Inc. : 184 ~
C. Leach / 2005 / Grain boundary structures in zinc oxide varistors / Acta Materialia 53 (2) : 237 ~ 245
B. G. Streetman / 1995 / Solid State Electronic Devices / Prentice-Hall International, Inc. : 312 ~
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C. Leach / 2005 / Grain boundary structures in zinc oxide varistors / Acta Materialia 53 (2) : 237 ~ 245
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