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저자정보
Park, Sang-Duk (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University) Lee, Young-Joon (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University) Kim, Sang-Gab (AMLCD Division, Samsung Electronics Co., Ltd) Choe, Hee-Hwan (AMLCD Division, Samsung Electronics Co., Ltd) Hong, Moon-Poe (AMLCD Division, Samsung Electronics Co., Ltd) Yeom, Geun-Young (Department of Materials Engineering, Sungkyunkwan University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2002.1
수록면
860 - 863 (4page)

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In this study, Ag thin films deposited on LCD-grade glass were etched using inductively coupled fluorine-based plasmas and the effect of various $CF_4$-based gas mixtures on the Ag etching characteristics were studied. When $CF_4$-based gas mixtures were used with $N_2$, due to the very low vapor pressure of etch products, etch products remained on the substrate after the etching. However, when $CF_4$ used with Ar, residue-free Ag etching could be obtained due to the removal of etch product by sputtering by $Ar^+$ ions.

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