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논문 기본 정보

자료유형
학술대회자료
저자정보
안영기 (SEMES 연구소 나노센터) 김현종 (SEMES 연구소 나노센터) 구교욱 (SEMES 연구소 나노센터) 조중근 (SEMES 연구소 나노센터)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
발행연도
2006.1
수록면
177 - 181 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

매엽식 방법을 이용한 웨이퍼 후면의 박막 식각
안영기 ,  김현종 ,  구교욱 외 1명 반도체및디스플레이장비학회지 2006.01 학술저널
매엽식 방법을 이용한 웨이퍼 후면의 박막 식각
안영기 ,  김현종 ,  구교욱 외 1명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2006.01 학술대회자료

초록· 키워드

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반도체를 만드는데 있어서 여러가지 박막을 형성하는 공정이 있다. 이때 가장 많이 쓰이는 방법이 CVD(Chemical Vapor Deposition)방법이나 PVD(Physical Vapor Deposition)방법이다. 이들 방법으로 막을 형성하게 되면, 웨이퍼 이면에도 막이 형성되게 된다. 웨이퍼 후면에 증착된 막은 공정 특성상 두께분포가 균일하지 못하고 다음 공정 중에 웨이퍼 전면을 오염시킬 수 있다. 후면의 박막이 있는 상태로 웨이퍼가 batch 방식의 습식공정이 진행되면, 후면의 박막이 떨어져 나와서 웨이퍼 전면을 오염시키게 된다. 또한 공정에 따라서 기판전면은 식각 시키지 않고 후면만 식각 시키는 경우가 발생하는데, 이때 웨이퍼 아래에 설치된 노즐을 사용하여 웨이퍼 후면의 박막을 식각할 수 있다. 본 연구는 노즐에서 약액이 분사되는 방향과 위치를 조절하여 매엽식 장비에서 웨이퍼 후면의 막을 균일하게 식각 시킬 수 있는 노즐을 제작하고 웨이퍼 후면의 $Si_{3}N_{4}$막을 분당 $1000{\AA}$이상 식각 하였으며 균일도를 5% 이하로 하였다.

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