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학술저널
저자정보
안영기 (SEMES 연구소 나노센터) 김현종 (SEMES 연구소 나노센터) 구교욱 (SEMES 연구소 나노센터) 조중근 (SEMES 연구소 나노센터)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제5권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
47 - 49 (3page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2006

매엽식 방법을 이용한 웨이퍼 후면의 박막 식각
안영기 ,  김현종 ,  구교욱 외 1명 반도체및디스플레이장비학회지 2006.01 학술저널
매엽식 방법을 이용한 웨이퍼 후면의 박막 식각
안영기 ,  김현종 ,  구교욱 외 1명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2006.01 학술대회자료

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Various methods of making thin film is being used in semiconductor manufacturing process. The most common method in this field includes CVD(Chemical Vapor Deposition) and PVD(Physical Vapor Deposition). Thin film is deposited on both the backside and the frontside of wafers. The thin film deposited on the backside has poor thickness profile, and can contaminate wafers in the following processes. If wafers with the thin film remaining on the backside are immersed in batch type process tank, the thin film fall apart from the backside and contaminate the nearest wafer. Thus, it is necessary to etch the backside of the wafer selectively without etching the frontside, and chemical injection nozzle positioned under the wafer can perform the backside etching. In this study, the backside chemical injection nozzle with optimized chemical injection profile is built for single wafer tool. The evaluation of this nozzle, performed on $Si_3N_4$ layer deposited on the backside of the wafer, shows the etching rate uniformity of less than 5% at the etching rate of more than $1000{\AA}$.
#Semiconductor #Wet Etching #Backside etching #Single wafer process

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