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하태은 (성균관대학교) 김원영 (성균관대학교) 안정현 (성균관대학교) 조은경 (성균관대학교) 한정훈 (성균관대학교) 임화림 (성균관대학교) 김용상 (성균관대학교)
저널정보
대한전기학회 대한전기학회 학술대회 논문집 2021년도 제52회 대한전기학회 하계학술대회
발행연도
2021.7
수록면
1,437 - 1,438 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2021

CYTOP과 Y₂O₃ 이중층 구조의 패시베이션을 통한 IGZO 박막 트렌지스터의 전기적 특성 및 안정성 향상
하태은 ,  안정현 ,  조은경 외 2명 대한전기학회 학술대회 논문집 2021.10 학술대회자료
유기물과 무기물 이중층 구조의 패시베이션을 통한 IGZO 박막 트렌지스터의 전기적 특성 및 PBS안정성 향상
하태은 ,  김원영 ,  안정현 외 4명 대한전기학회 학술대회 논문집 2021.07 학술대회자료

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본 논문에서는 유기물과 무기물 이중층 패시베이션을 통해 IGZO Thin film transistor (TFT) 소자의 후면 채널 층이 외부에 노출됨으로써 발생하는 열화 현상을 줄여 전기적 특성 및 PBS 안정성을 향상시켰다. 전기적 특성의 경우 유기물과 무기물 이중층 패시베이션을 증착한 후 S.S는 0.9 V/dec에서 0.46 V/dec로 총 0.44 V/dec 감소하였다. 또 히스테리시스는 6.67 V에서 1.16 V ... 전체 초록 보기

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