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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.5
- 수록면
- 203 - 207 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.4313/JKEM.2018.31.4.203
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In this work, we investigate the effects of lithium doping on the electric performance of solution-processedn-type zinc tin oxide (ZTO)/p-type silicon carbide (SiC) heterojunction diode structures. The proper amount of lithiumdoping not only affects the carrier concentration and interface quality but also influences the temperature sensitivity ofthe series resistance and activation energy. We confirmed that the device characteristics vary with lithium doping atconcentrations of 0, 10, and 20 wt%. In particular, the highest rectification ratio of 1.89×107 and the lowest trap densityof 4.829×1,022 cm-2 were observed at 20 wt% of lithium doping. Devices at this doping level showed the bestcharacteristics. As the temperature was increased, the series resistance value decreased. Additionally, the activationenergy was observed to change with respect to the component acting on the trap. We have demonstrated that lithiumdoping is an effective way to obtain a higher performance ZTO-based diode.
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