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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제6호
- 발행연도
- 2018.12
- 수록면
- 462 - 466 (5page)
- DOI
- https://doi.org/10.1007/s42341-018-0072-2
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The electrical and interfacial properties of atomic layer deposited AlN on p-Ge were investigated. A very large capacitance?voltage ( C ? V ) hysteresis at 1 MHz was observed, resulted from the presence of high density of slow traps that is associatedwith the GeO volatilization. Nonetheless, well-behaved C ? V characteristics with minimal frequency dispersion and theabsence of bumps near the fl at-band voltage were obtained except 1 MHz, implying that the AlN passivation occurred nearthe AlN/Ge interface. Parallel conductance values showed that both slow and fast states were located within a narrow energyrange. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra revealed that large amount of oxygen atoms are present near theAlN/Ge interface. Above the AlN critical thickness, the strong Al?Al bond in the Al 2 p spectra was observed, which couldbe explained by the strain relaxation due to the lattice mismatch between AlN and Ge.
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