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저자정보
김호경 (서울과학기술대학교) 윤희주 (서울과학기술대학교) 안상철 (서울과학기술대학교) 김남도 (서울과학기술대학교) 최병준 (서울과학기술대학교)
저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제19권 제6호
발행연도
2018.12
수록면
462 - 466 (5page)
DOI
https://doi.org/10.1007/s42341-018-0072-2

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The electrical and interfacial properties of atomic layer deposited AlN on p-Ge were investigated. A very large capacitance?voltage ( C ? V ) hysteresis at 1 MHz was observed, resulted from the presence of high density of slow traps that is associatedwith the GeO volatilization. Nonetheless, well-behaved C ? V characteristics with minimal frequency dispersion and theabsence of bumps near the fl at-band voltage were obtained except 1 MHz, implying that the AlN passivation occurred nearthe AlN/Ge interface. Parallel conductance values showed that both slow and fast states were located within a narrow energyrange. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectra revealed that large amount of oxygen atoms are present near theAlN/Ge interface. Above the AlN critical thickness, the strong Al?Al bond in the Al 2 p spectra was observed, which couldbe explained by the strain relaxation due to the lattice mismatch between AlN and Ge.

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