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저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering 한국정밀공학회지 제21권 제2호
발행연도
2004.2
수록면
218 - 223 (6page)

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The sapphire wafers for blue light emitting devices were manufactured by the implementation of the surface machining technology based on micro-tribology. This process has been performed by Micro-lapping process. The sapphire crystalline wafers were characterized by double crystal X-ray diffraction. The sample quality of crystalline sapphire wafer at surface has a full width at half maximum of 250 arcsec. This value at the surface sapphire wafer surfaces indicated 0.12㎛ sizes. Surfaces of sapphire wafers were mechanically affected by residual stress and surface default. As a result, the value of surface roughness of sapphire wafers measured by AFM(Atom Force Microscope) was 2.1㎚.
#Sapphire wafer(사파이어웨이퍼) #Full width at half maximum(반치폭) #Surface default(표면결함) #AFM(원자힘현미경) #Surface roughness(표면조도)

목차

ABSTRACT
1. 서론
2. 사파이어 연마 메카니즘
3. 사파이어 연마가공특성
4. 결과 및 고찰
5. 결론
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