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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.4
- 수록면
- 632 - 638 (7page)
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The surface lapping process on sapphire wafer was carried out for the epitaxial process of thin film growth of GaN semiconducting material. The planarization of the wafers was investigated by the introduction of the dummy wafers. The diamond lapping process causes the surface deformation of dislocation and micro-cracks. The material deformation due to the mechanical stress was analyzed by the X-ray diffraction and the Vickers indentation. The fracture toughness was increased with the increased annealing temperature indicating the recrystallization at the surface of the sapphire wafer. The sudden increase at the temperature of 1200℃ was correlated with the surface phase transition of sapphire from α -Al₂O₃ to β -Al₂O₃.
목차
Abstract
1. 서론
2. 연마 특성
3. 실험 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (18)
참고문헌 신청
Fremy, E. and Verneuil, A. 1887, Acad. Sci. Vol. 85, pp. 1029.
Kh. S. Bagdasarov, 1974, "Synthesis of Large Single Crystals of Corundum," from "Ruby and Sapphire" edited by. L. M. Beyaev (Nauka Pub. Moscow), pp. 15~38.
Klassen-Nekiyudova, M. V., 1974, "Control of the Processes of Mechanical Treatment of Corundum using Surfactant Liquids," from "Ruby and Sapphire" edited by L. M. Belyaev, (Nauka Pub. Moscow), pp. 334~338
Kim, K. and Koh, J. C, 2000, "GaN Epitaxial Growths on Chemically and Mechanically Polished Sapphire Wafers Grown by Bridgeman Method," Journal of the Korea Association of Crystal Growth, Vol. 10, No.5, p. 350
Shin Gwisu, Whang Sungwon, Kim Keunjoo and Suh Namsup, 2004, "Chemo-Mechanical Polishing Process of Sapphire Wafers for GaN Semiconductor Thin Film Growth," Trans. of the KSME A,. Vol. 28, No. 1, pp. 85~91.
Kh. S. Bagdasarov, 1974, "Synthesis of Large Single Crystals of Corundum," from "Ruby and Sapphire" edited by. L. M. Beyaev (Nauka Pub. Moscow), pp. 15~38.
Klassen-Nekiyudova, M. V., 1974, "Control of the Processes of Mechanical Treatment of Corundum using Surfactant Liquids," from "Ruby and Sapphire" edited by L. M. Belyaev, (Nauka Pub. Moscow), pp. 334~338
Kim, K. and Koh, J. C, 2000, "GaN Epitaxial Growths on Chemically and Mechanically Polished Sapphire Wafers Grown by Bridgeman Method," Journal of the Korea Association of Crystal Growth, Vol. 10, No.5, p. 350
Shin Gwisu, Whang Sungwon, Kim Keunjoo and Suh Namsup, 2004, "Chemo-Mechanical Polishing Process of Sapphire Wafers for GaN Semiconductor Thin Film Growth," Trans. of the KSME A,. Vol. 28, No. 1, pp. 85~91.
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