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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 1,005 - 1,008 (4page)
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In this study, adaptively coupled plasma (ACP) source was used for dry etching of Al2O3 thin film. During the etching process, the wafer surface temperature is an important parameter to influent the etching characteristics. Therefore, the experiments were carried out in ACP to measuring the etch rate, the selectivities of Al2O3 thin film to mask materials and the etch profile as functions of Cl2/Ar gas ratio and substrate temperature. The highest etch rate of Al2O3 was 65.4 nm/min at 75% of Cl2/ (Cl2+Ar) gas mixing ratio. The etched profile was characterized using field effect scanning electron microscopy (FE-SEM). The chemical states of Al2O3 thin film surfaces were investigated with x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
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D. P. Kim / 2004 / Etching properties of Al2O3 films in inductively coupled plasma / Thin Solid Film 459 (1) : 126 ~
E. Gusev / 2006 / Advanced high-k dielectric stacks with polySi and metalgates: Recent progress and current challenges / IBM J. Res. Dev. 50 (4) : 387 ~
G. H. Kim / 2007 / A study on the etching mechanism of high-k dielectric thin films in high density plasma / 박사 / Chung-Ang University
S. J. Yun / 2008 / Etch characteristics of Al2O3 thin films in inductively coupled BCl3/Ar plasma / Vacuum 82 (11) : 1198 ~
S. M. Koo / 2005 / The etching properties of Al2O3 thin film in N2/Cl2/BCl3 and Ar/Cl2/BCl3 gas chemistry / Mater. Sci. Eng. B 118 (1) : 201 ~
E. Gusev / 2006 / Advanced high-k dielectric stacks with polySi and metalgates: Recent progress and current challenges / IBM J. Res. Dev. 50 (4) : 387 ~
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S. J. Yun / 2008 / Etch characteristics of Al2O3 thin films in inductively coupled BCl3/Ar plasma / Vacuum 82 (11) : 1198 ~
S. M. Koo / 2005 / The etching properties of Al2O3 thin film in N2/Cl2/BCl3 and Ar/Cl2/BCl3 gas chemistry / Mater. Sci. Eng. B 118 (1) : 201 ~
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