BCl₃/Ar 플라즈마에 Cl₂ 가스 첨가에 따른 TiN 박막의 식각 특성

엄두승; 우종창; 김동표; 김창일

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자료유형: 학술저널

저자정보: 엄두승 우종창 김동표 김창일

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제21권 제12호

발행연도: 2008.1

수록면: 1,051 - 1,056 (6page)

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In this study, the investigations of the TiN etching characteristics were carried out with addition of Cl₂ gas in an inductively coupled BCl₃-base plasma system. Dry etching of the TiN was studied by varying the etching parameters including Cl₂ gas addition ratio, RF power, DC-bias voltage and pressure. The etch rate of TiN thin film was maximum when the Cl₂ gas addition flow was 2 sccm with fixed other conditions. As the RF power DC-bias voltage were increased, the etch rate of TiN thin film showed increasing tendency. BCl₃/Cl₂/Ar plasmas were characterized by optical emission spectroscopy (OES) analysis. The chemical reaction on the surface of the etched TiN films was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).

#Etching #TiN #Plasma #ICP #BCl₃/Ar #Cl₂

참고문헌 (19)

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A. Pastol / 1990 / Optical emission spectroscopy for diagnostic and monitoring of CH4 plasmas used for a-C:H deposition / J. Phys. D: Appl. Phys 23 : 799 ~

A.L. Gouil / 2007 / Poly-Si/TiN/HfO2 gate stack etching in high-density plasmas / J. Vac. Sci. Technol. B 25 (3) : 767 ~

C.Q. Jiao / 1997 / Ion chemistry in boron trichloride BCl3 / Chemical Physics Letter 265 : 239 ~

F. Cerio / 1998 / Film properties of Ti/TiN bilayers deposited sequentially by ionized physical vaper deposition / J. Vac. Sci. Technol. A 16 (3) : 1863 ~

G. Franz / 1998 / High-rate etching of GaAs using chlorine atmospheres doped with a Lewis acid / J. Vac. Sci. Technol. A 16 (3) : 1542 ~

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