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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험
Ⅲ. 실험 결과 및 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
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CO2 레이저 열처리에 따른 이온 주입된 다결정 실리콘 박막의 판막저항 변화에 관한 연구 ( A Study on the Sheet Resistance Variation in Ion Implanted Poly-Si Thin Flim by CO2 Laser Annealing )
대한전자공학회 학술대회
1987 .07
CW CO2 Laser에 의한 다결정 실리콘의 열처리
대한전자공학회 학술대회
1986 .06
이온주입에 의한 다결정 실리콘의 고유저항 모델링 ( The Resistivity Modeling of Ion Implanted Polycrystalline Silicon )
전자공학회논문지
1986 .05
자연 산화막과 엑시머 레이저를 이용한 poly-Si/a-Si 이중 박막 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전기학회논문지 C
2000 .01
이온 주입과 엑시머 레이저 조사에 의해 동시에 제작된 실리콘 산화막과 다결정 실리콘 박막
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
새로운 레이저 어닐링 방법을 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .07
고온 열처리에 따른 다결정 실리콘 박막의 특성
한국재료학회 학술발표대회
2002 .01
엑시머 레이저를 이용하여 동시에 형성된 실리콘 산화막과 다결정 실리콘 박막 ( Silicon Oxide and Poly - Si Film Simultaneously Formed By Excimer Laser )
전자공학회논문지-D
1997 .01
급속열처리와 엑시머 레이저에 의해 형성된 다결정 실리콘 박막에서 열처리 방법에 따른 박막의 특성변화
한국재료학회지
1997 .01
실리콘 이온 주입후 고상 결정화시킨 다결정 실리콘 TFT의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of the Poly-Si TFT using SPC Films after Si Ion Implantation )
전자공학회논문지-A
1993 .10
A$s^+$이온을 주입시킨 Si 표면부 미세구조와 특성
한국재료학회지
1992 .01
급속 열처리에 의한 다결정 실리콘 박막의 형성에 관한 연구
한국재료학회 학술발표대회
1997 .01
플라스틱 기판위에 엑시머 레이저 열처리된 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터
전자공학회논문지-IE
2006 .06
선택적인 Si 이온 주입이 비정질 실리콘의 레이저 결정화에 미치는 영향
대한전기학회 학술대회 논문집
2001 .11
캐스트 다결정 실리콘 내의 산소 및 탄소의 열처리 특성에 관한 연구
전기학회논문지
1998 .06
급속열처리에 따른 Si 이온주입 유기결함의 회복 거동 ( Annealing Behaviors of Various Defects in Si during Rapid Thermal Annealing )
대한전자공학회 워크샵
1996 .01
Si+ 이온주입된 Si 기판의 결함형성 및 회복에 관한 연구 ( Characteristics of Si + - self implant Damage and Its Annealing Behavior )
전자공학회논문지-A
1994 .08
열처리가 반절연성 다결정 실리콘 박막의 구조 및 전기적 특성에 미치는 영향
대한전자공학회 학술대회
1995 .01
BF2를 주입한 다결정 실리콘 게이트에서 유전 박막에 따른 Boron 침투에 대한 특성 분석
대한전자공학회 학술대회
1993 .07
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