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저자정보
Satoshi KOYAMA (Shibaura Institute of Technology) Seidai TAKEDA (University of Tokyo) Kimiyoshi USAMI (Shibaura Institute of Technology)
저널정보
대한전자공학회 ITC-CSCC :International Technical Conference on Circuits Systems, Computers and Communications ITC-CSCC : 2008
발행연도
2008.7
수록면
205 - 208 (4page)

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On cutting-edge semiconductor process, leakage current varies drastically due to process variation and temperature changes. At the circuit design stage, it is difficult to estimate the amount of leakage current at every manufactured chip. Therefore an on-chip function of measuring leakage current is required. The Virtual-ground (VGND) voltage of MTCMOS circuits increases during the sleep operation, because parasitic capacitance of a VGND line is charged up by the leakage current. By applying this behavior, we design leakage monitor circuits using ASPLA 90nm technology. Simulation results show that monitor delay-time is 165ns and monitor-error is 6% under the typical process condition, 25℃ and operating frequency of 200㎒. Power dissipation of designed circuits is 29㎼ in the monitoring mode and 15㎼ in the standby mode.

목차

Abstract
1. Introduction
2. Scheme for leakage measurement
3. Leakage monitor circuit
4. Circuit analysis
5. Conclusion and future work
6. Acknowledgement
References

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