a-IGZO TFT의 다양한 PBS 조건에 따른 신뢰성 분석

강하라; 장준태; 최성진; 김동명; 김대환

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저자정보: 강하라 (국민대학교) 장준태 (국민대학교) 최성진 (국민대학교) 김동명 (국민대학교) 김대환 (국민대학교)

저널정보: 대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 2015년도 대한전자공학회 하계종합학술대회

발행연도: 2015.6

수록면: 1,784 - 1,787 (4page)

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Positive bias stress-induced instability in amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors were investigated under the condition of VGS/VDS=30V/10V and VGS/VDS=10V/30V stress through incorporating forward/reverse read-out conditions. Through the investigation, we were able to find out that the uniform electron trapping is the dominant mechanism when the VGS/VDS=30V/10V stress is applied. On the other hand, different local VT near the drain and source is caused due to the local electron trapping in the drain and by the local hole trapping near the source when the VGS/VDS=10V/30V stress is applied.

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