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Chang-Woo Song (Chung-Ang University) Kyung-Hyun Kim (Electronics and Telecommunications Research Institute) Ji-Woong Yang (Chung-Ang University) Dae-Hwan Kim (Chung-Ang University) Yong-Jin Choi (Chung-Ang University) Chan-Hwa Hong (Electronics and Telecommunications Research Institute) Jae-Heon Shin (Electronics and Telecommunications Research Institute) Hyuck-In Kwon (Chung-Ang University) Sang-Hun Song (Chung-Ang University) Woo-Seok Cheong (Electronics and Telecommunications Research Institute)
저널정보
대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.16 No.2
발행연도
2016.4
수록면
198 - 203 (6page)

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We investigate the effects of magnesium (Mg) suppressor layer on the electrical performances and stabilities of amorphous indium-zinc-tin-oxide (a- ITZO) thin-film transistors (TFTs). Compared to the ITZO TFT without a Mg suppressor layer, the ITZO:Mg TFT exhibits slightly smaller field-effect mobility and much reduced subthreshold slope. The ITZO:Mg TFT shows improved electrical stabilities compared to the ITZO TFT under both positive-bias and negative-bias-illumination stresses. From the Xray photoelectron spectroscopy O1s spectra with fitted curves for ITZO and ITZO:Mg films, we observe that Mg doping contributes to an enhancement of the oxygen bond without oxygen vacancy and a reduction of the oxygen bonds with oxygen vacancies. This result shows that the Mg can be an effective suppressor in a-ITZO TFTs.
#Mg suppression layer #a-ITZO TFT #electrical performances and stabilities #oxygen vacancy

목차

Abstract
I. INTRODUCTION
II. EXPERIMENTAL DETAILS
III. RESULTS AND DISCSSION
IV. CONCLUSIONS
REFERENCES

참고문헌 (10)

참고문헌 신청
H. Frenzel, A. Lajn, H. Von Wenckstern, M. Lorenz, F. Schein, Z. Zhang, and M. Grundmann, “Recent progress on ZnO-Based Metal-Semiconductor Field-Effect Transistor and Their Application in Transparent Integrated Circuits,” Adv. Mater., vol. 22, pp. 5332-5349, Sep. 2010. google schola C. –Y. Wu, H. –C. Cheng, C. –L. Wang, T. –C. Liao, P. –C. Chiu, C. –H. Tsai, C. –H. Fang, and C. –C. Lee, “Reliability improvement of InGaZnO thin film transistors encapsulated under nitrogen ambient,” Appl. Phys. Lett., vol. 100, no. 15, pp. 152108-1-152108-4, Apr. 2012. google schola J. Jiang, M. Furuta, and D. Wang, “Self-Aligned Bottom-Gate In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor With Source/Drain Regions Formed by Direct Deposition of Fluorinated Silicon Nitride,” ” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 9, pp. 933-935, Sep. 2014. google schola S. Tomai, M. Nishimura, M. Itose, M. Matuura, M. Kasami, S. Matsuzaki, H. Kawashima, F. Utsuno, and K. Yano, “High-Performance Thin Film Transistor with Amorphous In2O3-SnO2-ZnO Channel Layer,” Jpn. J. Appl. Phys., vol. 51, pp. 03CB01-1-03CB01-5, Mar. 2012. google schola J. H. Song, K. S. Kim, Y. G. Mo, R. Choi, and J K Jeong, “Achieving High Field-Effect Mobility Exceeding 50 cm2/Vs in In-Zn-Sn-O Thin-Film Transistors,” IEEE Electron Device Lett., vol. 35, no. 8, pp. 853-855, Aug. 2014. google schola

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