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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권 제9호
발행연도
2003.1
수록면
753 - 758 (6page)

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Ti films were deposited onto 100×100 mm alumina substrates using dc magnetron sputtering under the following conditions; substrate temperature of R.T.～400 ℃, annealing temperature of 100～400 ℃ and sputtering gas pressure of 4×10-3 Torr～4×10-2 Torr. And the films were examined by X-ray diffraction analysis (XRD), scanning electron microscopy(SEM) and 4-point measurement system. The best electrical and structural properties was obtained by substrate temperature of ～200 ℃, target-substrate distance of ～14 cm and sputtering pressure of ～1×10-2 Torr. Also at that condition the most excellent adhesion was observed.
#Titanium #thin film #sputtering #adhesion force

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