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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
김진홍 (LG 전자기술원) 김선희 (LG 전자기술원) 이준석 (LG 전자기술원)
저널정보
정보저장시스템학회 정보저장시스템학회논문집 정보저장시스템학회논문집 제2권 제3호
발행연도
2006.1
수록면
196 - 200 (5page)

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We are developing a phase change etching technology using an inorganic photoresist of GeSbTe film which is the recording material of the phase change disc. A selective etching phenomenon between amorphous and crystalline states can be utilized with an alkaline etchant. Phase-change pits could be formed using this technique, in which the etching selectivity is strongly dependent on the concentration of the etchant. The degree of etching was investigated by the transmittance between crystalline and amorphous films after the wet-etching. The pits patterned on the disc could be observed by AFM after wet-etching.
#Wet-etching #Phase change etching #Mastering #Inorganic photoresist

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