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본 논문에서는 전력 반도체 소자용 Mg-doped AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. p형 재료로는 Mg을 사용하였다. 소자응용을 위한 기초 기판으로서 역할을 하기 위하여 GaN 에피층이 성장된기판과 GaN 에피층이 성장되어 패턴이 형성된 사파이어 기판 위에 Mg-doped AlN 에피층을 선택 성장하였다. Mg-dopedAlN 에피층의 표면과 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. XPS 스펙트럼과 라만 스펙트럼 결과로부터혼합소스 HVPE 방법에 의해 성장된 Mg-doped AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다.
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Y.F. Wu / 1996 / Very high breakdown voltage and large transconductance realized on GaN heterojunction field effect transistors / Appl. Phys. Lett 69:1438
N.H. Train / 2017 / On the mechanism of highly efficient p-type conduction of Mgdoped ultra-widebandgap AlN nanostructures / Appl. Phys. Lett 110:032102
V. Adivarahan / 2002 / Sub-milliwatt power III-N light emitting diodes at 285 nm / Jpn. J. Appl. Phys 41:L435
G. Dowler / 1983 / n-i-p-i doping superlattices—metastable semiconductors with tunable properties / J. Vac. Sci. Technol. B 1:278
허인혜 / 2008 / 혼합소스 HVPE 방법에 의한 질화물 반도체의 도핑 / 새물리 56(3):272~277
N.H. Train / 2017 / On the mechanism of highly efficient p-type conduction of Mgdoped ultra-widebandgap AlN nanostructures / Appl. Phys. Lett 110:032102
V. Adivarahan / 2002 / Sub-milliwatt power III-N light emitting diodes at 285 nm / Jpn. J. Appl. Phys 41:L435
G. Dowler / 1983 / n-i-p-i doping superlattices—metastable semiconductors with tunable properties / J. Vac. Sci. Technol. B 1:278
허인혜 / 2008 / 혼합소스 HVPE 방법에 의한 질화물 반도체의 도핑 / 새물리 56(3):272~277
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