ALD법으로 증착한 TiN막의 특성

김재범; 홍현석; 오기영; 이종무

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자료유형: 학술저널

저자정보: 김재범 홍현석 오기영 이종무

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제11권 제3호

발행연도: 2002.9

수록면: 159 - 165 (7page)

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본 연구에서는 TiCl₄과 NH₃을 이용하여 atomic layer deposition(ALD)법으로 TiN막을 증착한 후, 그 막의 특성에 관하여 조사하였다. 최적 공정조건에서 TiN막의 성장률은 cycle당 두께가 약 0.6 Å인 것으로 나타났고, 비저항은 반응온도 구간에서 200~350 μΩ㎝ 수준으로 낮게 얻어졌다. XRD 분석결과 TiN-ALD 온도구간에서 TiN막이 결정화되었음을 알 수 있었다. AES 분석결과 Cl 불순물의 함량이 거의 없는 상태(<1 at%)로 나타났고, TiN막에서의 Ti:N비가 1:1인 것으로 보아 거의 균일하게 형성되었음을 알 수 있었다. 또한 SEM관찰로 Aspect ratio 10:1의 trench 내에 형성된 TiN막의 스텝ㆍ커버리지는 극히 우수함을 알 수 있었다.

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