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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
안영기 (SEMES 연구소 나노센터) 김현종 (SEMES 연구소 나노센터) 성보람찬 (SEMES 연구소 나노센터) 구교욱 (SEMES 연구소 나노센터) 조중근 (SEMES 연구소 나노센터)
저널정보
한국반도체디스플레이기술학회 반도체및디스플레이장비학회지 반도체및디스플레이장비학회지 제5권 제2호
발행연도
2006.1
수록면
41 - 46 (6page)

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2006

$SiO_2$막의 습식식각 방법별 균일도 비교
안영기 ,  김현종 ,  성보람찬 외 2명 반도체및디스플레이장비학회지 2006.01 학술저널
$SiO_2$ 막의 습식식각 방법별 균일도 비교
안영기 ,  김현종 ,  성보람찬 외 2명 한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회 2006.01 학술대회자료

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Wet etching process in recent semiconductor manufacturing is devided into batch and single wafer type. Batch type wet etching process provides more throughput with poor etching uniformity compared to single wafer type process. Single wafer process achieves better etching uniformity by boom-swing injected chemical on rotating wafer. In this study, etching characteristics of $SiO_2$ layer at room and elevated temperature is evaluated and compared. The difference in etching rate and uniformity of each condition is identified, and the temperature profile of injected chemical is theoretically calculated and compared to that of experimental result. Better etching uniformity is observed with single wafer tool with boom-swing injection compared to single wafer process without boom-swing or batch type tool.
#Semiconductor #Wet Etching #Single wafer process

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