Hot Wire CVD법에 의한 수소화된 미세결정 실리콘(μc - Si : H) 박막 성장

The hydrogenated microcrystalline silicon(μc-Si:H) films were grown on low cost glass substrate by Hot Wire CVD(HWCVD). The growth rate changed from 14Å/sec to 36Å/sec, much higher than that of glow discharge method, with the variations of growth conditions. From the X-ray diffraction analysis and Raman spectroscopy, the prepared silicon films was revealed to be composed by the mixture of micro-crystalline and amorphous phase. The crystalline volume fraction and average crystallite size were obtained from the Raman To mode peak near the 520cm-¹ wavenumber. The maximum volume fraction and crystallite size were 63% and 5 ~ 6 ㎚, respectively. The X-ray analysis showed that all prepared silicon films have three to four distinct peaks and preferred orientation along (111) direction. The μc-Si:H films also showed different behaviors with the amorphous materials in conducting properties.

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