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논문 기본 정보

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한국표면공학회 한국표면공학회지 한국표면공학회지 제41권 제3호
발행연도
2008.6
수록면
83 - 87 (5page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2009

유도 결합 플라즈마를 이용한 TaN 박막의 건식 식각 특성 연구
엄두승 ,  김승한 ,  우종창 외 1명 한국표면공학회지 2009.12 학술저널
CH₄/Ar 유도결합플라즈마를 이용한 ZnO 박막의 식각 특성에 관한 연구
엄두승 ,  허경무 ,  박정수 외 2명 한국표면공학회 학술발표회 초록집 2009.05 학술대회자료

2008

유도 결합 플라즈마를 이용한 TiN 박막의 식각 특성
엄두승 ,  강찬민 ,  양설 외 2명 한국표면공학회지 2008.06 학술저널

초록· 키워드

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This study described the effects of RF power, DC bias voltage, chamber pressure and gas mixing ratio on the etch rates of TiN thin film and selectivity of TiN thin film to SiO₂ with BCl₃/Ar gas mixture. When the gas mixing ratio was BCl₃(20%)/Ar(80%) with other conditions were fixed, the maximum etch rate of TiN thin film was 170.6 nm/min. When the DC bias voltage increased from ?50 V to ?200 V, the etch rate of TiN thin film increased from 15 ㎚/min to 452 ㎚/min. As the RF power increased and chamber pressure decreased, the etch rate of TiN thin film showed an increasing tendency. When the gas mixing ratio was BCl₃(20%)/Ar(80%) under others conditions were fixed, the intensity of optical emission spectra from radical or ion such as Ar(750.4 ㎚), Cl?(481.9 ㎚) and Cl²?(460.8 nm) was highest. The TiN thin film was effectively removed by the chemically assisted physical etching in BCl₃/Ar ICP plasma.
#Etching #TiN #Plasma #ICP #BCl₃/Ar

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 결과 및 검토
4. 결론
후기
참고문헌

참고문헌 (13)

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A. L. Gouil , 2007 , , J. Vac. Sci. Technol. B 25 : 767 ~ 778 google schola 김관하 , 2007 , , 대 한전기학회논문지 5 (2) : 349 ~ 354 google schola W. T. Chang , 2007 , , J. Vac. Sci. Technol. B 25 : 1265 ~ 1269 google schola W. S. Hwang , 2005 , , J. Vac. Sci. Technol. A 23 (4) : 964 ~ 970 google schola D. R. Lide , 2004 , Handbook of Chemistry and Physics , CRC Press : 10(3) ~ 10(15) google schola

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