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We investigated the dry-etching mechanism of the TiN thin film using a Cl₂/Ar inductively coupled plasma system. To understand the effect of the Cl₂/Ar gas mixing ratio, we etched the TiN thin film by varying Cl₂/Ar gas mixing ratio. When the gas mixing ratio was 100% Cl₂, the highest etch rate was obtained. The chemical reaction on the surface was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Scanning electron microscopy (SEM) was used to examine etched profiles of the TiN thin film.
목차
Abstract
1. 서론
2 실험
3. 결과 및 검토
4. 결론
참고문헌
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - M. Wittmer / 1980 / / Appl. Phys. Lett. 35 : 456 ~
2. [학술지(정기간행물)] - S. Ikeda / 1999 / / J. Appl. Phys. 86 : 2300 ~
3. [학술지(정기간행물)] - J. E. Sundgren / 1985 / / Thin Solid Films 128 : 21 ~
4. [학술지(정기간행물)] - H. K. Chiu / 2001 / / J. Vac. Sci. Technol. A 19 (2) : 445 ~
5. [학술지(정기간행물)] - K. E. Elers / 2002 / / Chem. Vap. Deposition 8 (4) : 149 ~
2. [학술지(정기간행물)] - S. Ikeda / 1999 / / J. Appl. Phys. 86 : 2300 ~
3. [학술지(정기간행물)] - J. E. Sundgren / 1985 / / Thin Solid Films 128 : 21 ~
4. [학술지(정기간행물)] - H. K. Chiu / 2001 / / J. Vac. Sci. Technol. A 19 (2) : 445 ~
5. [학술지(정기간행물)] - K. E. Elers / 2002 / / Chem. Vap. Deposition 8 (4) : 149 ~
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