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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
Tae Gyu Park (서울대학교) Sang Sik Yang (아주대학교) Dong Chul Han (서울대학교)
저널정보
대한전기학회 Journal of Electrical Engineering & Technology Journal of Electrical Engineering & Technology Vol.3 No.2
발행연도
2008.6
수록면
271 - 275 (5page)

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The MAM (Megasonic Agitated Module) has been fabricated for improving the characteristics of wet etching. The characteristics of the MAM are investigated during the wet etching with and without megasonic agitation in this paper. The adoption of the MAM has improved the characteristics of wet etching, such as the etch rate, etch uniformity, and surface roughness. Especially, the etching uniformity on the entire wafer was less than ± 1 % in both cases of Si and glass. Generally, the initial root-mean-square roughness (R<SUB>rms</SUB>) of the single crystal silicon was 0.23㎚. Roughnesses of 566㎚ and 66㎚ have been achieved with magnetic stirring and ultrasonic agitation, respectively, by some researchers. In this paper, the roughness of the etched Si surface is less than 60㎚. Wet etching of silicon with megasonic agitation can maintain nearly the original surface roughness during etching. The results verified that megasonic agitation is an effective way to improve etching characteristics of the etch rate, etch uniformity, and surface roughness and that the developed micromachining system is suitable for the fabrication of devices with complex structures.

목차

Abstract
1. Introduction
2. MAM (Megasonic Agitated Module)
3. Performance
4. Conclusions
References

참고문헌 (10)

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UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2010-560-001632344