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- 2002.1
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In this work, the etching of CeO2 thin films have been performed in an inductively coupled Ar/CF4/Cl2 plasma. The highest etch rate of the CeO2 thin film was 250 Å/min and the selectivity of CeO2 to SBT was 0.4 at a 10 % additive Cl2 into Ar/(Ar+CF4) gas mixing ratio of 0.8. From result of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, there are Ce-Cl and Ce-F bonding by chemical reaction between Cl, F and Ce. During the etching of CeO2 thin films in Ar/CF4/Cl2 plasma, Ce-Cl and Ce-F bond is formed, and these products can be removed by the physical bombardment of Ar ions. The 10 % additive Cl2 into the Ar/(Ar+CF4) gas mixing ratio of 0.8 could enhance the reaction between Cl, F and Ce.
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