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이용수
Abstract
1.서론
2.CMP연마 메카니즘
3.실험방법
4.결과 및 고찰
5.결론
후기
참고문헌
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사파이어 웨이퍼의 기계-화학적인 연마 가공특성에 관한 연구
대한기계학회 논문집 A권
2004 .01
Dislocation densities of CMP processed sapphire wafers for GaN epitaxy
한국반도체및디스플레이장비학회 학술대회
2003 .01
CMP 가공된 사파이어웨이퍼의 웨이퍼내 표면전위에 관한 연구
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2005 .02
2인치 사파이어 웨이퍼의 자기연마공정 특성평가에 관한 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2012 .04
나노 다이아몬드 혼합 슬러리를 사용한 사파이어 웨이퍼의 연마특성 평가
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2014 .04
웨어퍼 폴리싱의 가공 조건에 따른 표면 특성에 관한 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2007 .10
A Study on the Characteristics of a Wafer-Polishing Process according to Machining Conditions
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
2009 .01
실리콘 웨이퍼 폴리싱 패드의 수명과 드레싱 결함의 관계에 관한 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2009 .05
광반도체용 사파이어웨이퍼 기계연마특성 연구
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
2004 .02
가공속도와 슬러리의 가공온도에 따른 웨이퍼 폴리싱의 표면 특성에 관한 연구
한국생산제조학회 학술발표대회 논문집
2008 .05
Pad 마모와 wafer final polishing의 가공표면에 관한 연구
대한기계학회 춘추학술대회
2010 .04
사파이어 CMP공정에서 슬러리 희석비에 따른 연마율과 표면조도 변화에 관한 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2012 .05
LED 사파이어 기판 가공을 위한 MCP 설계 및 가공 조건 연구
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2010 .05
CMP공정에서 웨이퍼-패드의 실접촉면적 분포에 관한 연구
대한기계학회 춘추학술대회
2010 .11
W CMP 공정에서의 연마패드표면 안정화 상태와 그 개선
전기전자재료학회논문지
2007 .01
사파이어 웨이퍼 기계 연마 가공 상태 감시 시스템 개발
한국정밀공학회 학술발표대회 논문집
2010 .11
실리콘 웨이퍼 연마헤드의 강제구동 방식이 웨이퍼 연마 평탄도에 미치는 영향 연구
반도체디스플레이기술학회지
2014 .01
랩그라인딩 후 사파이어 웨이퍼의 표면거칠기가 화학기계적 연마에 미치는 영향
Tribology and Lubricants
2019 .12
CMP 공정 조건에 따른 사파이어 웨이퍼 재료제거율에 관한 연구
한국트라이볼로지학회 학술대회
2016 .04
GaN 증착용 사파이어 웨이퍼의 표면가공에 따른 압흔 특성
대한기계학회 논문집 A권
2005 .04
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