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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.7
- 수록면
- 1,438 - 1,439 (2page)
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Ge₂Sb₂Te?(GST) thin film at present is a promising candidate for a phase change random access memory (PCRAM) based on the difference in resistivity between the crystalline and amorphous phase. PCRAM is an easy to manufacture, low cost storage technology with a high storage density. Therefore today several major chip manufacturers are investigating this data storage technique. Recently, A. Pirovano et al. showed that PCRAM can be safely scaled down to the 65 ㎚ technology node. G. T Jeonget al. suggested that physical limit of PRAM scaling will be around 10 ㎚ node. Etching process of GST thin films below 100 ㎚ range becomes more challenging. However, not much information is av ... 전체 초록 보기
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