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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제2호
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 46 - 50 (5page)
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BST thin films were etched with inductively coupled CF4/(Cl2+Ar) plasmas. The etch characteristics of BST thin films as a function of CF4/(Cl2+Ar) gas mixtures were analyzed using optical emission spectroscopy (OES) and Langmuir probe. The BST films in CF4/Cl2/Ar plasma is mainly etched by the formation of metal chlorides which depends on the emission intensity of the atomic Cl and the bombarding ion energy. The maximum etch rate of the BST thin films was 53.6 nm/min because small addition of CF4 to the Cl2/Ar mixture increased chemical and physical effect. A more fast etch rate of BST films can be obtained by increasing the DC bias and the RF power, and lowering the working pressure.
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/ / Etching characteristics and plasma-induced damage of high-k Ba0.5Sr0.5TiO3 thin film capacitors : 22312001 ~ 19
/ 1998. / CRC Handbook of Chemistry and Physics : 4 ~ 66
/ 1999. / Study on surface reaction of TiO3 thin films by high density plasma etching : 2156 ~
/ 2000. / Etching characteristics and mechanism of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films in an inductively coupled plasma 39 : 2068 ~
/ 2001. / Damage in etching of : 1063 ~
/ 1998. / CRC Handbook of Chemistry and Physics : 4 ~ 66
/ 1999. / Study on surface reaction of TiO3 thin films by high density plasma etching : 2156 ~
/ 2000. / Etching characteristics and mechanism of Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films in an inductively coupled plasma 39 : 2068 ~
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